LED，就是发光二极管（light emitting diode）,顾名思义发光二极管是一种可以将电能转化为光能的电子器件，具有二极管的特性。基本结构为一块电致发光的半导体模块。
n发光二极管的结构主要由PN结芯片、电极和光学系统组成。
n在电极上加上正向偏压之后（0.3V-4V)，使电子和空穴分别注入P区和N区，当非平衡少数载流子与多数载流子复合时，就会以辐射光子的形式将多余的能量转化为光能。具体如下：
       半导体晶片由三部分组成，一端是P型半导体，为硅晶体上掺杂镓（GA），在它里面空穴占主导地位；另一端是N型半导体，为硅晶体上掺杂砷（AS），电子占主导地位；中间区域为PN连接区，形成 EV的势垒，其中1至5个周期的量子阱。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，注入电子和空穴在PN连接区就会被推向量子阱，在量子阱内电子跟空穴复合，然后就会以光子的形式发出多余能量。 在LED的两端加上正向电压，电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线。调节电流，便可以调节光的强度。通过调整材料的能带结构和带隙，便可以多色发光，这种发光方式为“注入式电致发光”
 
  芯片制作流程
 
n在一块加热至适当温度的衬底基片（主要有蓝宝石（AL2Q3）、SiC、Si）上，气态物质InGaAlP有控制的输送到衬底表面，生长出特定单晶薄膜。目前LED外延片生长技术主要采用有机金属化学气相沉积方法。　 
n    外延片→清洗→镀透明电极层→透明电极图形光刻→腐蚀→去胶→平台图形光刻→干法刻蚀→去胶→退火→SiO2沉积→窗口图形光刻→SiO2腐蚀→去胶→N极图形光刻→预清洗→镀膜→剥离→退火→P极图形光刻→镀膜→剥离→研磨→切割→芯片→成品测试。
n从制作工艺，LED的生产和集成电路的生产接近，也接近满足摩尔定律，成本和性能每18个月有翻倍提升。